DPG20C200PN
0 100 200 300 400 500
0
20
rr
40
60
80
0 40 80 120 160
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
Kf
TVJ
[°C]
0 100 200 300 400 500
0
2
VFR
4
6
8
10
12
0
100
200
300fr[ns]
400
500
600
VFR
[V]
0 100 200 300 400 500
0
2
4
6
8
10
12
0 100 200 300 400 500
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
0
5
10
15
20
25
30
IRR
[A]
Qrr
[μC]
IF
[A]
VF
[
-diF/dt [A/μs]
V]
t
[ns]
tfr
IRR
Qrr
-diF/dt [A/μs]
-diF/dt [A/μs]
5 A
10 A
-diF/dt [A/μs]
0.001 0.01 0.1 1 10 100
0.1
1
10
t[s]
ZthJH
[K/W]
0 100 200 300 400 500
0
2
J]
4
rec
6
8
10
E
[μ
-diF/dt [A/μs]
TVJ
= 25°C
125°C
150°C
Fig. 1 Forward current
IF
versus VF
Fig. 2 Typ. reverse recov. charge
Qrr
versus -diF/dt
Fig. 3 Typ. reverse recov. current
IRR
versus -diF/dt
Fig. 4 Typ. dynamic parameters
Qrr,IRR
versus TVJ
Fig. 5 Typ. reverse recov. time
trr
versus -diF/dt
Fig. 6 Typ. forward recov. voltage
VFR
and tfr
versus diF/dt
Fig. 7 Typ. recovery energy
Erec
versus -diF/dt
Fig. 8 Transient thermal resistance junction to case
20 A
10 A
5 A
20 A
10 A
5A
TVJ= 125°C
VR
= 130 V
TVJ= 125°C
VR
= 130 V
TVJ=125°C
VR
=130 V
TVJ=125°C
VR
= 130 V
TVJ= 125°C
I
F
= 10 A
VR
=130 V
IF= 5 A
10 A
20 A
t
IF
= 20 A
Rthi
[K/W]
0.3474
0.633
0.5473
2.162
0.7102
ti
[s]
0.0003
0.0035
0.029
1.2
7.8
Fast Diode
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.
20131126a
Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified
? 2013 IXYS all rights reserved
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